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APT50SCE65B

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  • APT50SCE65B
    APT50SCE65B

    APT50SCE65B

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-247

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APT50SCE65B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT50SCE65B 技術參數
  • APT50N60JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):52A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50N60JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50MC120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):71A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 50A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):179nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2980pF @ 1000V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M75JLLU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):51A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5590pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M75JLLU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):51A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5590pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2 APT56M50L APT56M60B2 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG
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