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APT55-101DN

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • APT55-101DN
    APT55-101DN

    APT55-101DN

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-247

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APT55-101DN PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 17.5A I(D) | CHIP
APT55-101DN 技術參數
  • APT54GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,32A 功率 - 最大值:416W 開關能量:534μJ(開),466μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:28nC 25°C 時 Td(開/關)值:17ns/112ns 測試條件:400V,32A,4.7 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT54GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):161A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,32A 功率 - 最大值:416W 開關能量:534μJ(開),466μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:158nC 25°C 時 Td(開/關)值:17ns/112ns 測試條件:400V,32A,4.7 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT53N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):53A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 25.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.72mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4020pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT53F80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):57A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 43A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT51M50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):51A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT56M50L APT56M60B2 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN
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