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APTC60DDAM70CT1

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  • APTC60DDAM70CT1
    APTC60DDAM70CT1

    APTC60DDAM70CT1

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • E51X40-12L

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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APTC60DDAM70CT1 技術參數
  • APTC60DDAM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級結 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DDAM35T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):72A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60DDAM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級結 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60DAM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):72A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DAM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG APTC60TDUM35PG APTC60VDAM24T3G APTC60VDAM45T1G
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