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APTCV60TLM99T3G

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTCV60TLM99T3G
    APTCV60TLM99T3G

    APTCV60TLM99T3G

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • SP6

  • 11+

  • -

  • 100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

  • APTCV60TLM99T3G
    APTCV60TLM99T3G

    APTCV60TLM99T3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
APTCV60TLM99T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類(lèi)型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無(wú)
  • 安裝類(lèi)型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTCV60TLM99T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTCV60TLM70T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:三級(jí)反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 APTCV60TLM45T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT3 SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:三級(jí)反相器 - IGBT，F(xiàn)ET 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60TLM24T3G 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:三級(jí)反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 APTCV60HM70RT3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:單相橋式整流器 NTC 熱敏電阻:是 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60HM70BT3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器，全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTD1608LVBC/D APTD1608LZGCK APTD1608QBC/D APTD1608SEC/J3 APTD1608SECK APTD1608SECK/J3-PF APTD1608SECK/J4-PF APTD1608SURCK APTD1608SYC/J3 APTD1608SYCK APTD1608SYCK/J3-PF APTD1608VBC/D APTD1608ZGC APTD1608ZGCK APTD2012LCGCK APTD2012LQBC/D APTD2012LSURCK APTD2012LSYCK
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免責(zé)聲明：以上所展示的APTCV60TLM99T3G信息由會(huì)員自行提供，APTCV60TLM99T3G內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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