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APTGF15H120T3

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 操作
  • APTGF15H120T3
    APTGF15H120T3

    APTGF15H120T3

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • E73X40-32L

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • APTGF15H120T3
    APTGF15H120T3

    APTGF15H120T3

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15H120T3 技術參數
  • APTGF15H120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 25A 140W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，15A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF15A120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 25A 140W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，15A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF150SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF150H120G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF150DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙，共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G APTGF300A120D3G APTGF300A120G
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