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APTGF50DU120T

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • APTGF50DU120T
    APTGF50DU120T

    APTGF50DU120T

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • N93X40-10L

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • APTGF50DU120T
    APTGF50DU120T

    APTGF50DU120T

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF50DU120T 技術參數
  • APTGF50DSK60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Buck Chopper 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF50DSK120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Buck Chopper 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF50DH60TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50DH60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF50DH120TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50TL60T3G APTGF50VDA120T3G APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G APTGF75DA60D1G APTGF75DDA120TG APTGF75DH120TG APTGF75DSK120TG APTGF75H120TG APTGF75SK60D1G APTGF90A60D1G APTGF90A60T1G APTGF90A60TG APTGF90DA60D1G APTGF90DA60T1G
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