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APTGF50H60T1

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  • APTGF50H60T1
    APTGF50H60T1

    APTGF50H60T1

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • E51X40-12L

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • APTGF50H60T1G
    APTGF50H60T1G

    APTGF50H60T1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優勢產品

  • APTGF50H60T1G
    APTGF50H60T1G

    APTGF50H60T1G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
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APTGF50H60T1 技術參數
  • APTGF50H120TG 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:NPT 配置:雙，共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50DSK60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Buck Chopper 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF50DSK120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Buck Chopper 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF50DH60TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G APTGF75DA60D1G APTGF75DDA120TG APTGF75DH120TG APTGF75DSK120TG APTGF75H120TG APTGF75SK60D1G APTGF90A60D1G APTGF90A60T1G APTGF90A60TG APTGF90DA60D1G APTGF90DA60T1G APTGF90DA60TG APTGF90DH60T3G
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