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APTGT150DU170G

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT150DU170G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
36597
Microsemi Corporation
SP6
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共8條
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您是不是要找： APTGT150DU60TG APTGT150H120G APTGT150H170G APTGT150H60TG APTGT150SK120D1G APTGT150SK120G APTGT150SK120TG APTGT150SK170D1G APTGT150SK170G

APTGT150DU170G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGT150DU170G PDF下載

功能描述
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT150DU170G 技術參數

APTGT150DU120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT150DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT150DH60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT150DH170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:13.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT150DH120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT150SK60T1G APTGT150SK60TG APTGT150TA60PG APTGT150TDU60PG APTGT150TL60G APTGT200A120D3G APTGT200A120G APTGT200A170D3G APTGT200A602G APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G