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APTGT30DDA60T3G

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT30DDA60T3G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
72085
Microsemi Corporation
SP3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： APTGT30DSK60T3G APTGT30H170T3G APTGT30H60T1G APTGT30H60T3G APTGT30SK170D1G APTGT30SK170T1G APTGT30TL601G APTGT30TL60T3G APTGT30X60T3G

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APTGT30DDA60T3G PDF下載

功能描述
IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT30DDA60T3G 技術參數

APTGT30DA170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT30DA170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:3mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT30A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 50A 90W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT30A170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT30A170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 45A 210W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:3mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT35A120D1G APTGT35A120T1G APTGT35DA120D1G APTGT35H120T1G APTGT35H120T3G APTGT35SK120D1G APTGT35X120T3G APTGT400A120D3G APTGT400A120G APTGT400A60D3G APTGT400DA120D3G APTGT400DA120G APTGT400DA60D3G APTGT400DU120G APTGT400SK120D3G APTGT400SK120G APTGT400SK60D3G APTGT400TL65G