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APTGT50DA170D1G

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • APTGT50DA170D1G
    APTGT50DA170D1G

    APTGT50DA170D1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨??!

  • APTGT50DA170D1G
    APTGT50DA170D1G

    APTGT50DA170D1G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 170

  • APT

  • 50A/1700V/IGBT+DIODE

  • 2024+

  • -
  • 全新現(xiàn)貨價格優(yōu)勢

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
APTGT50DA170D1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 1700V 70A 310W D1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGT50DA170D1G 技術參數(shù)
  • APTGT50DA120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT50DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 270W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):5mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT50A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT50A170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT50A170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT50DSK120T3G APTGT50DSK60T3G APTGT50DU120TG APTGT50DU170TG APTGT50H120T3G APTGT50H120TG APTGT50H170TG APTGT50H60RT3G APTGT50H60T1G APTGT50H60T3G APTGT50SK120D1G APTGT50SK120TG APTGT50SK170D1G APTGT50SK170T1G APTGT50SK170TG APTGT50TA170PG APTGT50TA60PG APTGT50TDU170PG
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