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APTM100UM65SCAVG

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    APTM100UM65SCAVG

    APTM100UM65SCAVG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

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  • 微芯專營優勢產品

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOD MOSFET SIC DIODE 1000V SP6
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET TRANSISTOR
APTM100UM65SCAVG 技術參數
  • APTM100UM65SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):145A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 72.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1068nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM65DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):145A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 72.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1068nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM60FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):129A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 64.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1116nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):31100pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM45FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):215A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 107.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1602nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM45DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):215A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 107.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1602nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG
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