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APTML502UM90R020T3AG

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  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話(huà):134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 98592

  • Microsemi Corporation

  • SP3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠(chǎng)正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - MOSFET - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET TRANSISTOR
APTML502UM90R020T3AG 技術(shù)參數(shù)
  • APTML20UM18R010T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 109A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):109A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):9880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML202UM18R010T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):109A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):9880pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML10UM09R004T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 154A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):154A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):9875pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML102UM09R004T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):154A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):9875pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML100U60R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):720 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ APTS012A0X3-SRZ APTS012A0X43-SRZ
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