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AS4C8M16D1A-5TCN

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AS4C8M16D1A-5TCN
    AS4C8M16D1A-5TCN

    AS4C8M16D1A-5TCN

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • AllianceMemory

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • AS4C8M16D1A-5TCN
    AS4C8M16D1A-5TCN

    AS4C8M16D1A-5TCN

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Alliance Memory, Inc.

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
AS4C8M16D1A-5TCN PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IC SDRAM 128MBIT 66TSOP
  • 制造商
  • alliance memory, inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 托盤
  • 零件狀態
  • 有效
  • 格式 - 存儲器
  • RAM
  • 存儲器類型
  • DDR SDRAM
  • 存儲容量
  • 128M(8M x 16)
  • 速度
  • 200MHz
  • 接口
  • 并聯
  • 電壓 - 電源
  • 2.3 V ~ 2.7 V
  • 工作溫度
  • 0°C ~ 70°C(TA)
  • 封裝/外殼
  • 66-TSSOP(0.400",10.16mm 寬)
  • 供應商器件封裝
  • 66-TSOP II
  • 標準包裝
  • 108
AS4C8M16D1A-5TCN 技術參數
  • AS4C8M16D1-5TINTR 功能描述:動態隨機存取存儲器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube AS4C8M16D1-5TIN 功能描述:動態隨機存取存儲器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube AS4C8M16D1-5TCNTR 功能描述:動態隨機存取存儲器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube AS4C8M16D1-5TCN 功能描述:動態隨機存取存儲器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube AS4C8M16D1-5BINTR 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術:SDRAM - DDR 存儲容量:128Mb (8M x 16) 時鐘頻率:200MHz 寫周期時間 - 字,頁:15ns 訪問時間:700ps 存儲器接口:并聯 電壓 - 電源:2.3 V ~ 2.7 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TFBGA(8x13) 標準包裝:2,500 AS4C8M16S-6TIN AS4C8M16S-6TINTR AS4C8M16S-7BCN AS4C8M16S-7BCNTR AS4C8M16S-7TCN AS4C8M16S-7TCNTR AS4C8M16SA-6BAN AS4C8M16SA-6BANTR AS4C8M16SA-6BIN AS4C8M16SA-6BINTR AS4C8M16SA-6TAN AS4C8M16SA-6TANTR AS4C8M16SA-6TCN AS4C8M16SA-6TCNTR AS4C8M16SA-6TIN AS4C8M16SA-6TINTR AS4C8M16SA-7BCN AS4C8M16SA-7BCNTR
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