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AT-42036-TR1G射頻小信號雙極性晶體管

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AT-42036-TR1G射頻小信號雙極性晶體管 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AT-42036-TR1G射頻小信號雙極性晶體管技術參數

AT-42036-TR1G 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD（36 micro-X）供應商器件封裝:36 micro-X 標準包裝:1,000 AT-42036-BLKG 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD（36 micro-X）供應商器件封裝:36 micro-X 標準包裝:100 AT-42035G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD（35 micro-X）供應商器件封裝:35 micro-X 標準包裝:100 AT-42010 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD（100 密耳）供應商器件封裝:- 標準包裝:100 AT-42000-GP4 功能描述:TRANSISTOR NPN BIPOLAR CHIP 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10.5dB ~ 14dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:芯片標準包裝:100 AT421D AT421E AT421F AT421G AT-4228-TF-LW145 AT-4228-TF-LW145-R AT-4228-TWT-F-R AT422A AT422B AT422C AT422E AT422F AT422G AT-4230-TF-LW135-R AT423A AT423C AT424A AT426A