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AT-42086-TR2G射頻小信號雙極性晶體管

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AT-42086-TR2G射頻小信號雙極性晶體管 技術參數
  • AT-42086-TR2G 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 500mW Surface Mount 86 Plastic 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:9dB ~ 13dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-86 供應商器件封裝:86 塑料 標準包裝:4,000 AT-42086-TR1G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:9dB ~ 13dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-86 供應商器件封裝:86 塑料 標準包裝:1 AT-42086-BLKG 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:9dB ~ 13dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-86 供應商器件封裝:86 塑料 標準包裝:100 AT-42085G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 45MD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:9.5dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD(85 塑料) 供應商器件封裝:85 塑料 標準包裝:100 AT-42070 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10.5dB ~ 14dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD(70 密耳) 供應商器件封裝:70 密耳封裝 標準包裝:100 AT-4228-TF-LW145-R AT-4228-TWT-F-R AT422A AT422B AT422C AT422E AT422F AT422G AT-4230-TF-LW135-R AT423A AT423C AT424A AT426A AT426B AT426C AT426D AT426E AT426F
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