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ATP22SL3312B0SA03Q

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    ATP22SL3312B0SA03Q

    ATP22SL3312B0SA03Q

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：洪先生

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

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  • ATP22SL3312B0SA03Q
    ATP22SL3312B0SA03Q

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  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室

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ATP22SL3312B0SA03Q 技術參數
  • ATP218-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:上次購買時間 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 50A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6600pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP216-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:上次購買時間 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 18A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP214-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.1 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP213-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3150pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP212-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1820pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET ATPH18650250SET ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y ATPL210DK-99
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