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AUIRF2804S.

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  • AUIRF2804S.
    AUIRF2804S.

    AUIRF2804S.

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 6925

  • IR

  • TO-263

  • 1027+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • AUIRF2804S.
    AUIRF2804S.

    AUIRF2804S.

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人：許先生

    電話：18898761413

    地址：華強北都會軒4507

    資質：營業執照

  • 30000

  • IR

  • TO-263

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應。品質保障

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
AUIRF2804S. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
AUIRF2804S. 技術參數
  • AUIRF2804S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:195A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6450pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF2804L 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:195A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6450pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AUIRF2804 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:195A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6450pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 AUIRF1405ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4780pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRF1405ZS-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:230nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:800 AUIRF2903ZS AUIRF2903ZSTRL AUIRF2907Z AUIRF2907ZS7PTL AUIRF3004WL AUIRF3007 AUIRF3205 AUIRF3205Z AUIRF3205ZS AUIRF3205ZSTRL AUIRF3305 AUIRF3315S AUIRF3315STRL AUIRF3415 AUIRF3504 AUIRF3710Z AUIRF3710ZS AUIRF3710ZSTRL
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