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AUIRF5210STRL.

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    AUIRF5210STRL.

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人:許先生

    電話:18898761413

    地址:華強北都會軒4507

    資質:營業執照

  • 30000

  • IR

  • TO-263

  • 24+

  • -
  • 原裝正品,可含稅供應。品質保障

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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AUIRF5210STRL. 技術參數
  • AUIRF5210STRL 功能描述:MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 38A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):230nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2780pF @ 25V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRF5210S 功能描述:MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 38A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):230nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2780pF @ 25V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF4905STRL 功能描述:MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 42A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 AUIRF4905S 功能描述:MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 42A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF4905L 功能描述:MOSFET P-CH 55V 74A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 42A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AUIRF7103QTR AUIRF7207Q AUIRF7207QTR AUIRF7303Q AUIRF7303QTR AUIRF7304Q AUIRF7304QTR AUIRF7309Q AUIRF7309QTR AUIRF7313Q AUIRF7313QTR AUIRF7316Q AUIRF7316QTR AUIRF7319Q AUIRF7319QTR AUIRF7341Q AUIRF7341QTR AUIRF7342Q
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