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AUIRF6218STRR

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  • AUIRF6218STRR
    AUIRF6218STRR

    AUIRF6218STRR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • IR

  • D2PAK

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • AUTOMOTIVE MOSFET -150V, 150MOHM, 27A, 71 NC, D2PAK - Tape and Reel
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET P CH 150V 27A D2PAK
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • Automotive MOSFET 27A, 71 nC, D2Pak
AUIRF6218STRR 技術參數
  • AUIRF6218STRL 功能描述:MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2210pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRF6218S 功能描述:MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2210pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF6215STRL 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRF6215S 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF6215 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRF7309QTR AUIRF7313Q AUIRF7313QTR AUIRF7316Q AUIRF7316QTR AUIRF7319Q AUIRF7319QTR AUIRF7341Q AUIRF7341QTR AUIRF7342Q AUIRF7342QTR AUIRF7343Q AUIRF7343QTR AUIRF7379Q AUIRF7379QTR AUIRF7416QTR AUIRF7478Q AUIRF7478QTR
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