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AUIRFR625

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    AUIRFR625

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • AUIRFR625
    AUIRFR625

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

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AUIRFR625 技術參數
  • AUIRFR6215TRL 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):295 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:3,000 AUIRFR6215 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):295 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRFR5505TRL 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 9.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:3,000 AUIRFR5505 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 9.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRFR5410TRL 功能描述:MOSFET P-CH 100V 13A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):205 毫歐 @ 7.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):760pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 AUIRFS3004-7P AUIRFS3004-7TRL AUIRFS3004TRL AUIRFS3006 AUIRFS3006-7P AUIRFS3107 AUIRFS3107-7P AUIRFS3107TRL AUIRFS3206 AUIRFS3206TRL AUIRFS3207Z AUIRFS3306 AUIRFS3306TRL AUIRFS3307Z AUIRFS3607 AUIRFS3607TRL AUIRFS3806 AUIRFS3806TRL
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