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AUIRFS8409TRL

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

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  • 優勢庫存,原裝正品

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN - Tape and Reel
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • T&R / Automotive G12.7 MOSFET 40VN
AUIRFS8409TRL 技術參數
  • AUIRFS8409-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.75 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):460nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13975pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):375W (Tc) 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標準包裝:800 AUIRFS8407-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標準包裝:800 AUIRFS8407-7P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應商器件封裝:D2PAK-7 標準包裝:50 AUIRFS8407 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W (Tc) 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS8405 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):161nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5193pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):163W (Tc) 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFU1010Z AUIRFU3607 AUIRFU4104 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS
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