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AUIRL1404ZL

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AUIRL1404ZL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AUIRL1404ZL
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
5000
TI
new and original
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

AUIRL1404ZL
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
TO-262
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

AUIRL1404ZL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
INTERNATI
1521+
-
全新原裝現貨

AUIRL1404ZL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
7500
IR
TO-262
13+
-
全新原裝，現貨，價優！

1/1頁 40條/頁共24條
1

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AUIRL1404ZL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AUIRL1404ZL PDF下載

功能描述
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRL1404ZL 技術參數

AUIRL1404Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5080pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 AUIRL1404STRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 95A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6600pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標準包裝:800 AUIRL1404S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 95A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6600pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標準包裝:75 AUIRGU4045D 功能描述:IGBT Trench 600V 12A 77W Through Hole I-Pak 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):18A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:77W 開關能量:56μJ（開），122μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:19.5nC 25°C 時 Td（開/關）值:27ns/75ns 測試條件:400V，6A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:74ns 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 AUIRGSL4062D1 功能描述:IGBT Trench 600V 59A 246W Through Hole TO-262 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:59A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):72A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.77V @ 15V，24A 功率 - 最大值:246W 開關能量:532μJ（開），311μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:77nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/90ns 測試條件:400V，24A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:102ns 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AUIRLL014N AUIRLL014NTR AUIRLL024N AUIRLL024NTR AUIRLL024Z AUIRLL024ZTR AUIRLL2705 AUIRLL2705TR AUIRLR014N AUIRLR014NTRL AUIRLR024N AUIRLR024NTRL AUIRLR024Z AUIRLR024ZTRL AUIRLR120N AUIRLR120NTRL AUIRLR2703 AUIRLR2905