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AUIRLS8409-7TRL

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型號
供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

AUIRLS8409-7TRL
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
D2PAK（7-Lead）
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： AUIRLSL3036 AUIRLU024Z AUIRLU2905 AUIRLU3110Z AUIRLU3114Z AUIRLZ24NS AUIRLZ24NSTRL AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZL

AUIRLS8409-7TRL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AUIRLS8409-7TRL PDF下載

功能描述
MOSFET NCH 40V 240A D2PAK
制造商
infineon technologies
系列
*
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
240A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
0.75 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
266nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
16488pF @ 25V
功率 - 最大值
375W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）
供應商器件封裝
D2PAK（7-Lead）
標準包裝
800

AUIRLS8409-7TRL 技術參數

AUIRLS8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標準包裝:50 AUIRLS4030TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRLS4030-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標準包裝:800 AUIRLS4030-7P 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標準包裝:50 AUIRLS4030 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR AUIRS2110S AUIRS2112S AUIRS2113S AUIRS2113STR AUIRS2117S AUIRS2117STR