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AS6C1008-55STIN

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AS6C1008-55STIN PDF下載

功能描述
靜態隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態隨機存取存儲器
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存儲容量
16 Mbit
組織
1 M x 16
訪問時間
55 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.2 V
最大工作電流
22 uA
最大工作溫度
+ 85 C
最小工作溫度
- 40 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TSOP-48
封裝
Tray

AS6C1008-55STIN 技術參數

AS6C1008-55SINTR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C1008-55SINLTR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C1008-55SINL 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C1008-55SIN 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C1008-55PIN 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C1016-55ZIN AS6C1016-55ZINTR AS6C1608-55BIN AS6C1608-55BINTR AS6C1608-55TIN AS6C1608-55TINTR AS6C1616-55BIN AS6C1616-55BINTR AS6C1616-55TIN AS6C1616-55TINTR AS6C1616-70BIN AS6C1616-70BINTR AS6C1616A-55BIN AS6C1616A-55BINTR AS6C2008-55BIN AS6C2008-55BINTR AS6C2008-55SIN AS6C2008-55SINTR