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參數資料
| 型號： | AD8512ARMZ-R2 |
| 廠商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers |
| 中文描述： | DUAL OP-AMP, 1800 uV OFFSET-MAX, 8 MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MO-187AA, MSOP-8 |
| 文件頁數： | 6/20頁 |
| 文件大小： | 497K |
| 代理商： | AD8512ARMZ-R2 |
AD8510/AD8512/AD8513
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Table 3. AD8510/AD8512/AD8513 Stress Ratings
1
Parameter
Supply Voltage
Input Voltage
Output Short-Circuit Duration to GND
Rev. E | Page 6 of 20
Rating
±18 V
±V
S
Observe Derating
Curves
65°C to +150°C
40°C to +125°C
65°C to +150°C
300°C
Storage Temperature Range
R, RM Packages
Operating Temperature Range
Junction Temperature Range
R, RM Packages
Lead Temperature Range
(Soldering, 10 sec)
Electrostatic Discharge (HBM)
2000 V
Table 4. Thermal Resistance
Package Type
8-Lead MSOP (RM)
8-Lead SOIC (R)
14-Lead SOIC (R)
14-Lead TSSOP (RU)
θ
JA2
210
158
120
180
θ
JC
45
43
36
35
Unit
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
1
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only; functional
operation of the device at these or any other conditions above those listed in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device
reliability.
2
θ
JA
is specified for worst-case conditions, i.e., θ
JA
is specified for device
soldered in circuit board for surface-mount packages.
ESD CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although
this product features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on devices
subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are
recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AD8512ARMZ-REEL | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers |
| AD8512ARZ | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers |
| AD8512ARZ-REEL | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers |
| AD8512ARZ-REEL7 | AC 7C 7#16S PIN RECP |
| AD8512BR | Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AD8512ARMZ-R2 | 制造商:Analog Devices 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
| AD8512ARMZ-REEL | 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ DUAL LN 8MSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 產品培訓模塊:Differential Circuit Design Techniques for Communication Applications 標準包裝:1 系列:- 放大器類型:RF/IF 差分 電路數:1 輸出類型:差分 轉換速率:9800 V/µs 增益帶寬積:- -3db帶寬:2.9GHz 電流 - 輸入偏壓:3µA 電壓 - 輸入偏移:- 電流 - 電源:40mA 電流 - 輸出 / 通道:- 電壓 - 電源，單路/雙路(±):3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-VQFN 裸露焊盤，CSP 供應商設備封裝:16-LFCSP-VQ 包裝:剪切帶 (CT) 產品目錄頁面:551 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:ADL5561ACPZ-R7CT |
| AD8512AR-REEL | 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ DUAL LN 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 放大器類型:通用 電路數:1 輸出類型:滿擺幅 轉換速率:0.11 V/µs 增益帶寬積:350kHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:4nA 電壓 - 輸入偏移:20µV 電流 - 電源:260µA 電流 - 輸出 / 通道:20mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):2.7 V ~ 36 V，±1.35 V ~ 18 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SO 包裝:帶卷 (TR) |
| AD8512AR-REEL7 | 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ DUAL LN 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 放大器類型:通用 電路數:1 輸出類型:滿擺幅 轉換速率:0.11 V/µs 增益帶寬積:350kHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:4nA 電壓 - 輸入偏移:20µV 電流 - 電源:260µA 電流 - 輸出 / 通道:20mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):2.7 V ~ 36 V，±1.35 V ~ 18 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SO 包裝:帶卷 (TR) |
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