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參數資料
型號: ADG409BN
廠商: ANALOG DEVICES INC
元件分類: 運動控制電子
英文描述: LC2MOS 4-/8-Channel High Performance Analog Multiplexers
中文描述: 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PDIP16
封裝: PLASTIC, MS-001AB, DIP-16
文件頁數: 3/11頁
文件大?。?/td> 223K
代理商: ADG409BN
–3–
REV. A
ADG408/ADG409
SINGLE SUPPLY
1
B Version
T Version
–55
8
C to
+25
8
C +125
8
C
–40
8
C to
+85
8
C
Parameter
+25
8
C
Units
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
R
ON
LEAKAGE CURRENTS
Source OFF Leakage I
S
(OFF)
0 to V
DD
0 to V
DD
V
typ
90
90
V
D
= +3 V, +10 V, I
S
= –1 mA
±
0.5
±
50
±
0.5
±
50
nA max
V
D
=8 V/0 V, V
S
= 0 V/8
V;
Test Circuit 2
V
D
=8 V/0 V, V
S
= 0 V/8
V;
Test Circuit 3
Drain OFF Leakage I
D
(OFF)
ADG408
ADG409
Channel ON Leakage I
D
, I
S
(ON)
ADG408
ADG409
±
1
±
1
±
100
±
50
±
1
±
1
±
100
±
50
nA max
nA max
V
S
= V
D
= 8 V/0 V;
Test Circuit 4
±
1
±
1
±
100
±
50
±
1
±
1
±
100
±
50
nA max
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, V
INH
Input Low Voltage, V
INL
Input Current
I
INL
or I
INH
C
IN
, Digital Input Capacitance
DYNAMIC CHARACTERISTICS
2
t
TRANSITION
2.4
0.8
2.4
0.8
V min
V max
±
10
±
10
μ
A max
pF typ
V
IN
= 0 or V
DD
f = 1 MHz
8
8
130
130
ns typ
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S1
= 8 V/0 V, V
S8
= 0 V/8 V;
Test Circuit 5
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S
= +5 V; Test Circuit 6
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S
= +5 V; Test Circuit 7
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S
= +5 V; Test Circuit 7
V
S
= 0 V, R
S
= 0
, C
L
= 10 nF;
Test Circuit 8
R
L
= 1 k
, f = 100 kHz;
V
EN
= 0 V; Test Circuit 9
R
L
= 1 k
, f = 100 kHz;
Test Circuit 10
f = 1 MHz
f = 1 MHz
t
OPEN
10
10
ns typ
t
ON
(EN)
140
140
ns typ
t
OFF
(EN)
60
60
ns typ
Charge Injection
5
5
pC typ
OFF Isolation
–75
–75
dB typ
Channel-to-Channel Crosstalk
85
85
dB typ
C
S
(OFF)
C
D
(OFF)
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
(ON)
ADG408
ADG409
11
11
pF typ
40
20
40
20
pF typ
pF typ
f = 1 MHz
54
34
54
34
pF typ
pF typ
POWER REQUIREMENTS
I
DD
1
5
1
5
μ
A typ
μ
A max
μ
A typ
μ
A max
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
I
DD
100
200
100
200
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
500
500
NOTES
1
Temperature ranges are as follows: B Version: –40
°
C to +85
°
C; T Version: –55
°
C to +125
°
C.
2
Guaranteed by design, not subject to production test.
Specifications subject to change without notice.
(V
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted)
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PDF描述
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