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參數資料
型號: ADG751
廠商: Analog Devices, Inc.
英文描述: CMOS, Low Voltage RF/Video, SPST Switch
中文描述: 的CMOS低電壓射頻/視頻,聚苯乙烯開關
文件頁數: 3/10頁
文件大?。?/td> 120K
代理商: ADG751
REV. 0
–3–
ADG751
SPECIFICATIONS
B Grade
A Grade
–40
8
C to
+85
8
C
–40
8
C to
+85
8
C
Parameter
+25
8
C
+25
8
C
Units
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
On-Resistance (R
ON
)
0 V to V
DD
0 V to V
DD
V
typ
max
60
35
V
S
= 0 V to V
DD
, I
DS
= –10 mA;
Test Circuit 1
90
50
LEAKAGE CURRENTS
Source OFF Leakage I
S
(OFF)
V
DD
= +3.3 V
V
D
= 3 V/1 V, V
S
= 1 V/3 V;
Test Circuit 2
V
D
= 1 V/3 V, V
S
= 3 V/1 V;
Test Circuit 2
V
D
= V
S
= 1 V, or 3 V;
Test Circuit 3
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
nA typ
nA max
nA typ
nA max
nA typ
nA max
±
3.0
±
3.0
Drain OFF Leakage I
D
(OFF)
±
3.0
±
3.0
Channel ON Leakage I
D
, I
S
(ON)
±
3.0
±
3.0
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, V
INH
Input Low Voltage, V
INL
Input Current
I
INL
or I
INH
2.0
0.4
2.0
0.4
V min
V max
0.001
0.001
μ
A typ
μ
A max
pF typ
V
IN
= V
INL
or V
INH
±
0.5
±
0.5
C
IN
, Digital Input Capacitance
2
2
DYNAMIC CHARACTERISTICS
1
t
ON
12
12
ns typ
ns max
ns typ
ns max
pC typ
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S
= 2 V, Test Circuit 4
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF;
V
S
= 2 V, Test Circuit 4
V
S
= 1 V, R
S
= 0
, C
L
= 1.0 nF;
Test Circuit 5
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF, f = 100 MHz;
Test Circuit 6
MHz typ R
L
= 50
, C
L
= 5 pF, Test Circuit 7
pF typ
pF typ
pF typ
19
19
t
OFF
4
4
6
6
Charge Injection
1
1
Off Isolation
–75
–65
dB typ
–3 dB Bandwidth
C
S
(OFF)
C
D
(OFF)
C
D
, C
S
(ON)
180
4
4
26
280
4
4
15
POWER REQUIREMENTS
I
DD
V
DD
= +3.3 V
Digital Inputs = 0 V or +3.3 V
0.001
0.1
0.001
0.1
μ
A typ
μ
A max
0.5
0.5
NOTES
1
Guaranteed by design, not subject to production test.
Specifications subject to change without notice.
(V
DD
= +3 V
6
10%, GND = 0 V, unless otherwise noted.)
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