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參數資料
| 型號： | ADM1232ARN |
| 廠商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分類： | 電源管理 |
| 英文描述： | Microprocessor Supervisory Circuit |
| 中文描述： | 1-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PDSO8 |
| 封裝： | MS-012AA, SOIC-8 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | ADM1232ARN |
ADM1232
–3–
REV. B
ORDE RING GUIDE
T emperature
Range
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
Package
Options*
Model
ADM1232ARM
ADM1232AN
ADM1232ARW
ADM1232ARN
RM-8
N-8
R-16
R-8
*N= Plastic DIP; R = Small Outline; RM = microSOIC.
ABSOLUT E MAX IMUM RAT INGS*
(T
A
= +25
°
C unless otherwise noted)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.5 V
Logic Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to V
CC
+ 0.3 V
Storage T emperature Range . . . . . . . . . . . . –65
°
C to +150
°
C
Lead T emperature (Soldering, 10 sec) . . . . . . . . . . . . +300
°
C
Vapor Phase (60 sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
Infrared (15 sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
N-8
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000 mW
Derate by 13.5 mW/
°
C above 25
°
C
θ
JA
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
°
C/W
R-16
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900 mW
Derate by 12 mW/
°
C above 25
°
C
θ
JA
T hermal Impedance (Still Air) . . . . . . . . . . . . . . 73
°
C/W
RM-8
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900 mW
Derate by 12 mW/
°
C above 25
°
C
θ
JA
T hermal Impedance (Still Air) . . . . . . . . . . . . . 206
°
C/W
R-8
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900
μ
W
Derate by 12 mW/
°
C above 25
°
C
θ
JA
T hermal Impedance (Still Air) . . . . . . . . . . . . . 153
°
C/W
*Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. T his is a stress rating only; functional operation of the
device at these or any other conditions above those listed in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum ratings
for extended periods of time may affect device reliability.
C AUT ION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection.
Although the ADM1232 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may
occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. T herefore, proper ESD
precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.
WARNNG
ESD SENSITIVE DEVICE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ADM1232ARW | Microprocessor Supervisory Circuit |
| ADM1232AAN | Microprocessor Supervisory Circuit |
| ADM1232AARM | Microprocessor Supervisory Circuit |
| ADM1232AARN | Microprocessor Supervisory Circuit |
| ADM1232AARW | Microprocessor Supervisory Circuit |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ADM1232ARN-REEL | 功能描述:IC SUPERVISOR FOR CPU 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監控器 系列:- 標準包裝:400 系列:- 類型:備用電池電路 監視電壓數目:1 輸出:開路漏極，推挽式 復位:高有效/低有效 復位超時:最小為 35 ms 電壓 - 閥值:4.65V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:16-SOIC W 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:ADM691ARZ-REEL7TR |
| ADM1232ARN-REEL7 | 功能描述:IC SUPERVISOR FOR CPU 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監控器 系列:- 標準包裝:400 系列:- 類型:備用電池電路 監視電壓數目:1 輸出:開路漏極，推挽式 復位:高有效/低有效 復位超時:最小為 35 ms 電壓 - 閥值:4.65V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:16-SOIC W 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:ADM691ARZ-REEL7TR |
| ADM1232ARNZ | 功能描述:IC SUPERVISOR FOR CPU 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監控器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 類型:簡單復位/加電復位 監視電壓數目:1 輸出:開路漏極，開路漏極 復位:高有效/低有效 復位超時:最小為 250 ms 電壓 - 閥值:4.37V，4.62V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產品目錄頁面:1337 (CN2011-ZH PDF) |
| ADM1232ARNZ | 制造商:Analog Devices 功能描述:Microprocessor Supervisor |
| ADM1232ARNZ1 | 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Microprocessor Supervisory Circuit |
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