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參數資料
| 型號： | ADR434B |
| 廠商： | Analog Devices, Inc. |
| 元件分類： | 基準電壓源/電流源 |
| 英文描述： | Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability |
| 中文描述： | 超低噪聲XFET電壓基準與電流吸入和源能力 |
| 文件頁數： | 3/24頁 |
| 文件大小： | 868K |
| 代理商： | ADR434B |
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
SPECIFICATIONS
ADR430 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
IN
= 4.1 V to 18 V, I
LOAD
= 0 mA, T
A
= 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Output Voltage
B Grade
A Grade
Initial Accuracy
B Grade
B Grade
A Grade
A Grade
Temperature Coefficient
SOIC-8 (B Grade)
SOIC-8 (A Grade)
MSOP-8
Line Regulation
Load Regulation
Quiescent Current
Voltage Noise
Voltage Noise Density
Turn-On Settling Time
Long-Term Stability
1
Output Voltage Hysteresis
Ripple Rejection Ratio
Short Circuit to GND
Supply Voltage Operating Range
Supply Voltage Headroom
Rev. B | Page 3 of 24
Symbol
V
O
V
O
V
OERR
V
OERR
V
OERR
V
OERR
TCV
O
TCV
O
TCV
O
V
O
/V
IN
V
O
/I
LOAD
I
IN
e
N
p-p
e
N
t
R
V
O
V
O_HYS
RRR
I
SC
V
IN
V
IN
V
O
Conditions
40°C < T
A
< +125°C
40°C < T
A
< +125°C
40°C < T
A
< +125°C
V
IN
= 4.1 V to 18 V
40°C < T
A
< +125°C
I
LOAD
= 0 mA to 10 mA, V
IN
= 5.0 V
40°C < T
A
< +125°C
I
LOAD
= 10 mA to 0 mA, V
IN
= 5.0 V
40°C < T
A
< +125°C
No load, 40°C < T
A
< +125°C
0.1 Hz to 10.0 Hz
1 kHz
C
IN
= 0
1,000 h
f
IN
= 10 kHz
Min
2.047
2.045
4.1
2
Typ
2.048
2.048
1
2
2
5
560
3.5
60
10
40
20
–70
40
Max
2.049
2.051
1
0.05
3
0.15
3
10
10
20
15
15
800
18
Unit
V
V
mV
%
mV
%
ppm/°C
ppm/°C
ppm/V
ppm/mA
ppm/mA
μA
μV p-p
nV√Hz
μs
ppm
ppm
dB
mA
V
V
1
The long-term stability specification is noncumulative. The drift in subsequent 1,000 hour periods is significantly lower than in the first 1,000 hour period.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ADR434BR | Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability |
| ADR434BR-REEL7 | Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability |
| ADR435 | Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability |
| ADR435A | Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability |
| ADR435AR | Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ADR434BR | 制造商:Analog Devices 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4.096 V REFERENCE - Bulk |
| ADR434BR-REEL7 | 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability |
| ADR434BRZ | 功能描述:IC VREF SERIES PREC 4.096V 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電壓基準 系列:XFET® 標準包裝:3,000 系列:- 基準類型:旁路，精度 輸出電壓:3V 容差:±0.5% 溫度系數:100ppm/°C 輸入電壓:- 通道數:1 電流 - 陰極:82µA 電流 - 靜態:- 電流 - 輸出:15mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 供應商設備封裝:SC-70-5 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:296-20888-2 |
| ADR434BRZ-REEL7 | 功能描述:IC VREF SERIES PREC 4.096V 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電壓基準 系列:XFET® 標準包裝:2,000 系列:- 基準類型:旁路，可調節，精度 輸出電壓:1.24 V ~ 16 V 容差:±0.5% 溫度系數:- 輸入電壓:1.24 V ~ 16 V 通道數:1 電流 - 陰極:100µA 電流 - 靜態:- 電流 - 輸出:20mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 供應商設備封裝:TO-92-3 包裝:帶卷 (TR) |
| ADR434TRZ-EP | 功能描述:IC VREF SRS PREC 4.096V 8-SOICN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電壓基準 系列:XFET® 標準包裝:2,000 系列:- 基準類型:旁路，可調節，精度 輸出電壓:1.24 V ~ 16 V 容差:±0.5% 溫度系數:- 輸入電壓:1.24 V ~ 16 V 通道數:1 電流 - 陰極:100µA 電流 - 靜態:- 電流 - 輸出:20mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 供應商設備封裝:TO-92-3 包裝:帶卷 (TR) |
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