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參數資料
型號: ADR445B
廠商: Analog Devices, Inc.
元件分類: 基準電壓源/電流源
英文描述: Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
中文描述: 超低噪聲,LDO的XFET電壓與電流吸入和源引用
文件頁數: 6/20頁
文件大小: 417K
代理商: ADR445B
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445
ADR444 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
IN
= 4.6 V to 18 V, T
A
= 25°C, C
IN
= C
OUT
= 0.1 μF, unless otherwise noted.
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Table 5.
Parameter
OUTPUT VOLTAGE
A Grade
B Grade
INITIAL ACCURACY
A Grade
B Grade
TEMPERATURE DRIFT
A Grade
B Grade
LINE REGULATION
LOAD REGULATION
Symbol
V
O
Conditions
40°C < T
A
< +125°C
40°C < T
A
< +125°C
40°C < T
A
< +125°C
I
LOAD
= 0 mA to 10 mA, V
IN
= 5.5 V,
40°C < T
A
< +125°C
I
LOAD
= 0 mA to 5 mA, V
IN
= 5.5 V,
40°C < T
A
< +125°C
No load, 40°C < T
A
< +125°C
0.1 Hz to 10 Hz
1 kHz
1000 hours
f
IN
= 10 kHz
Min
4.091
4.0944
Typ
4.096
4.096
2
1
10
Max
4.101
4.0976
5
0.13
1.6
0.04
10
3
20
Unit
V
V
mV
%
mV
%
ppm/°C
ppm/°C
ppm/V
V
OERR
TCV
O
ΔV
O
/ΔV
IN
ΔV
O
/ΔI
LOAD
50
+50
ppm/mA
ΔV
O
/ΔI
LOAD
50
4.6
500
3
1.8
78.6
10
50
70
75
27
+50
3.75
18
ppm/mA
mA
μV p-p
nV/√Hz
μs
ppm
ppm
dB
mA
V
mV
QUIESCENT CURRENT
VOLTAGE NOISE
VOLTAGE NOISE DENSITY
TURN-ON SETTLING TIME
LONG-TERM STABILITY
1
OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS
RIPPLE REJECTION RATIO
SHORT CIRCUIT TO GND
SUPPLY VOLTAGE OPERATING RANGE
SUPPLY VOLTAGE HEADROOM
1
The long-term stability specification is noncumulative. The drift in the subsequent 1000-hour period is significantly lower than in the first 1000-hour period.
I
IN
e
N
p-p
e
N
t
R
V
O
V
O_HYS
RRR
I
SC
V
IN
V
IN
V
O
相關PDF資料
PDF描述
ADR445BRZ Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
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參數描述
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