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參數資料
| 型號： | AFT-18855-10F |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | AFT-18855-10F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AFT-18855-1RF | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT-18855-20F | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT-18855-2RF | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT-18855-30F | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT-18855-40F | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AFT-18864 | 制造商:AVAN 功能描述: |
| AFT18H356-24SR6 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:AF HIP NI1230-4L2L - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:TRANS RF NI1230-4L2L |
| AFT18H357-24NR6 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:1.81GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:800mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-1230-4L2L 供應商器件封裝:OM-1230-4L2L 標準包裝:150 |
| AFT18H357-24SR6 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.3dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:1.81GHz 增益:17.3dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:800mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標準包裝:150 |
| AFT18HW355S | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
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