- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄57779 > AFT-18865-1RF 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AFT-18865-1RF |
| 元件分類(lèi)： | 放大器 |
| 英文描述： | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | AFT-18865-1RF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AFT-18865-2RF | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AFT-18865-30F | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AFT-18865-3RF | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AFT-18865-5RF | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AFT-18852-10F | 8000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AFT18H356-24SR6 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:AF HIP NI1230-4L2L - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:TRANS RF NI1230-4L2L |
| AFT18H357-24NR6 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:LDMOS（雙） 頻率:1.81GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:800mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-1230-4L2L 供應(yīng)商器件封裝:OM-1230-4L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 |
| AFT18H357-24SR6 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.3dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:LDMOS（雙） 頻率:1.81GHz 增益:17.3dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:800mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 |
| AFT18HW355S | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
| AFT18HW355SR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV9 1.8GHz 350W NI230S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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