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參數資料
型號: AFT-2062-40F
元件分類: 放大器
英文描述: 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 24K
代理商: AFT-2062-40F
相關PDF資料
PDF描述
AFT-2062-4RF 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AFT-2062-5RF 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AFT-2032-10F 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AFT-2032-1RF 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AFT-2032-20F 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
相關代理商/技術參數
參數描述
AFT20P060-4GNR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 450mA 2.17GHz 18.9dB 6.3W OM-780G-4L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:2.17GHz 增益:18.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:450mA 功率 - 輸出:6.3W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-780G-4L 供應商器件封裝:OM-780G-4L 標準包裝:250
AFT20P060-4N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor
AFT20P060-4NR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 AF1 2GHz 60W OM780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AFT20P140-4WGNR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 17.8dB 24W OM-780G-4L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:1.88GHz ~ 1.91GHz 增益:17.8dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:500mA 功率 - 輸出:24W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-780G-4L 供應商器件封裝:OM-780G-4L 標準包裝:250
AFT20P140-4WNR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV9 2GHz 24W OM780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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