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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AFT186N40U43-40R |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | AFT186N40U43-40R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AFT186N40U43-500 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT186N40U43-50R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT186N40U43-R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT186N40U43 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AG101 | 60 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AFT-18864 | 制造商:AVAN 功能描述: |
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| AFT18H357-24NR6 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:1.81GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:800mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-1230-4L2L 供應(yīng)商器件封裝:OM-1230-4L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 |
| AFT18H357-24SR6 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.3dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:1.81GHz 增益:17.3dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:800mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 |
| AFT18HW355S | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
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