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參數資料
| 型號： | ALD1107DBMXXXX |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | ALD1107DBMXXXX |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1117SAXXXX | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1107SBXXXX | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1107PBXXXX | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1117DAMXXXX | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1117PAXXXX | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ALD1107PB | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD1107PBL | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD1107SB | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD1107SBL | 功能描述:MOSFET Quad P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD110800 | 制造商:ALD 制造商全稱:Advanced Linear Devices 功能描述:Advanced Liner Devices.Inc QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
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