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參數(shù)資料
型號: ALD110808ASCL
廠商: Advanced Linear Devices Inc
文件頁數(shù): 1/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 48
系列: EPAD®
FET 型: 4 N 通道(半橋)
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 10.6V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 歐姆 @ 4.8V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 820mV @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-SOIC
包裝: 管件
其它名稱: 1014-1025
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