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參數(shù)資料
型號(hào): ALD110900SAL
廠商: Advanced Linear Devices Inc
文件頁(yè)數(shù): 1/11頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
產(chǎn)品目錄繪圖: 8-Pin SOIC Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: THRESHOLD™, EPAD®
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 10.6V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 歐姆 @ 4V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 20mV @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOIC
包裝: 管件
其它名稱: 1014-1033
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