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參數(shù)資料
型號(hào): ALD110902PAL
廠商: Advanced Linear Devices Inc
文件頁(yè)數(shù): 1/11頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
產(chǎn)品目錄繪圖: 8-Pin Plastic Dip Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: EPAD®
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 10.6V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12mA
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 歐姆 @ 4.2V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 220mV @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-PDIP
包裝: 管件
其它名稱(chēng): 1014-1034
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