| 型號： | ALD1110EPAL |
| 廠商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH ADJ DUAL 8PDIP |
| 標準包裝： | 50 |
| 系列： | EPAD® |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 10V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 3mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 歐姆 @ 5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應商設備封裝： | 8-PDIP |
| 包裝： | 管件 |