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參數資料
| 型號： | ALD1117SA |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | ALD1117SA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1107PB | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALF08N20K | 8 A, 200 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| ALF08N16K | 8 A, 160 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| ALF08N20V | 8 A, 200 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| ALF08N16V | 8 A, 160 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ALD1117SAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD111910MAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD111910PAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD111910SAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ALD111933 | 制造商:ALD 制造商全稱:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
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