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參數資料
型號: ALD114935PAL
廠商: Advanced Linear Devices Inc
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
產品目錄繪圖: 8-Pin Plastic Dip Package
標準包裝: 50
系列: EPAD®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 10.6V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 12mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 540 歐姆 @ 0V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3.45V @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供應商設備封裝: 8-PDIP
包裝: 管件
其它名稱: 1014-1067
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