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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM1214-175 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, S038, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 19K |
| 代理商： | AM1214-175 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM1214-300 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM1214-325 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM81214-015 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM81416-020 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| AM81214-060 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM1214-200 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| AM1214-250 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| AM1214-300 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| AM1214-325 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| AM1215-66NI | 制造商:WALL 制造商全稱:Wall Industries,Inc. 功能描述:Highly suitable for high speed pick and place machine operation |
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