- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄36690 > AO4406 (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AO4406 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | AO4406 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAV
EAV
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
23
40
48
65
RθJL
12
16
mJ
W
Junction and Storage Temperature Range
A
PD
°C
3
2.1
-55 to 150
TA=70°C
ID
Continuous Drain
Current
AF
Maximum
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
30
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
11.5
9.6
80
Avalanche Current
B
25
Repetitive Avalanche Energy
B L=0.3mH
94
°C/W
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
±12
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
TA=25°C
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
AF
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
AO4406
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = 30V
ID = 11.5A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 14m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 16.5m (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 26m (VGS = 2.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AO4406/L uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device makes an excellent high side switch for
notebook CPU core DC-DC conversion. AO4406 and
AO4406L are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO4406L is Halogen Free
SOIC-8
G
S
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4406L | 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4407A | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4409 | 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4411 | 8000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4413 | 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4406A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AO4406AL | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
| AO4407 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4407_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4407A | 功能描述:MOSFET P-CH -30V -12A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。