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參數資料
| 型號： | AO4496 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | AO4496 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Parameter
Symbol
Typ
Max
t
≤ 10s
31
40
Steady State
59
75
Steady State
RθJL
16
24
Maximum
10
7.5
3.1
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
G
mJ
50
A
17
14
Pulsed Drain Current
B
Avalanche Current
G
Continuous Drain
Current
A
Power Dissipation
A
TA=25°C
Junction and Storage Temperature Range
TA=70°C
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
V
ID
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
Absolute Maximum Ratings TJ=25°C unless otherwise noted
PD
Maximum Junction-to-Lead
C
°C/W
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
W
±20
°C/W
RθJA
°C
-55 to 150
2.0
AO4496
30V N-Channel MOSFET
Product Summary
VDS (V) = 30V
ID = 10A
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 19.5m
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 26m
(VGS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
The AO4496 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This
device is suitable for use as a DC-DC converter
application.
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4912 | 30 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4914 | 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AOD452A | 55 A, 25 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOL1412 | 85 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1448 | 36 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AO4496_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:715pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
| AO4496_12 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
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| AO4498E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AO4498EL | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2760pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 18A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:3,000 |
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