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參數資料
| 型號： | AOI452A |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 55 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 291K |
| 代理商： | AOI452A |
General Description
Features
(VGS = 10V)
(VGS = 4.5V)
- RoHS Compliant
100% UIS Tested!
- Halogen Free
100% R g Tested!
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
14.2
17
39
47
RθJC
2.5
3
ID = 55A
RDS(ON) < 7.3m
TC=25°C
3.2
25
TC=100°C
27
120
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
G
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t ≤ 10s
°C/W
Parameter
RθJA
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
25
AOI452A
N-Channel SDMOS
TM Power Transistor
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
The AOI452A is fabricated with SDMOS
TM trench
technology that combines excellent RDS(ON) with low gate
charge.The result is outstanding efficiency with
controlled switching behavi
or. This universal technology
is well suited for PWM, load switching and general
purpose applications.
RDS(ON) < 14m
VDS (V) =25V
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Avalanche Current
C
13
Continuous Drain
Current
36
16
A
TA=25°C
IDSM
A
TA=70°C
ID
55
43
TC=25°C
TC=100°C
Power Dissipation
B
PD
W
Power Dissipation
A
PDSM
W
TA=70°C
50
2.2
TA=25°C
Maximum Junction-to-Case
Steady-State
°C/W
Steady-State
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
G
D
S
D
Top View
Bottom View
TO-251A
IPAK
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AON6414A | 50 A, 30 V, 0.0114 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| AP02N60J-H | 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N60H-H | 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AP02N70EJ | 1.6 A, 700 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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