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參數(shù)資料
| 型號： | AOL1426 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, ULTRASO-8, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | AOL1426 |
AOL1426
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
S
(V
o
lt
s
)
0
500
1000
1500
2000
0
5
10
15
20
25
30
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Ciss
20
40
60
80
100
120
140
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
o
w
e
r
(W
)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θθθθ
J
A
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Coss
Crss
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
100
VDS (Volts)
I D
(A
m
p
s
)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10s
10ms
1m
0.1
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=175°C
TC=25°C
100
VDS=15V
ID=20A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TC+PDM.ZθJc.RθJc
RθJC=3.5°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=175°C
TC=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40J | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40H | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOL1426_08 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1426L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1428 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 49A ULTRA SO-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOL1428A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.4A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOL1432 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 44A ULTRA SO-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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