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參數資料
| 型號： | AON6704 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 6 X 5 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | AON6704 |
AON6704
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 17: Diode Reverse Leakage Current vs.
Junction Temperature
I R
(A
)
VDS=15V
VDS=30V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 18: Diode Forward voltage vs. Junction
Temperature
V
S
D
(V
)
IS=1A
10A
20A
5A
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
IS (A)
Figure 18: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. Conduction Current
Q
rr
(n
C
)
2
4
6
8
10
12
I r
m
(A
)
di/dt=800A/
s
125C
25C
Qrr
Irm
0
5
10
15
20
25
30
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/
s)
Figure 20: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. di/dt
Q
rr
(n
C
)
0
5
10
15
20
I r
m
(A
)
125C
25C
Is=20A
Qrr
Irm
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
IS (A)
Figure 19: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. Conduction Current
t r
r
(n
s
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
S
di/dt=800A/
s
125C
25C
trr
S
0
3
6
9
12
15
18
21
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/
s)
Figure 21: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. di/dt
t r
r
(n
s
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
S
125C
25C
125
Is=20A
trr
S
Rev 3: March 2011
www.aosmd.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40J | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40H | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AP02N40K-HF | 0.45 A, 400 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AON6710 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AON6712 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AON6716 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AON6718L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AON6718L_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4463pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-DFN 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:1 |
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