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參數資料
型號: AP9T19GH
廠商: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 33 A, 12 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 71K
代理商: AP9T19GH
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9T19GH/J
td(on) tr
td(off)t
f
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10203040
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
Gate
to
S
o
u
rc
eV
oltage
(
V
)
I D =20A
V DS =6V
V DS =8V
V DS =10V
100
1000
10000
15
9
13
17
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
No
rm
a
lized
T
h
erm
a
lResp
o
n
se
(
R
thjc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
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PDF描述
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