欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: APL501P
元件分類: JFETs
英文描述: 43 A, 500 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: HERMETIC SEALED, PPACK-4
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 112K
代理商: APL501P
DYNAMIC CHARACTERISTICS
APL501P
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance Curve. (Fig.1)
2 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%
3 See MIL-STD-750 Method 3471
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.3
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Z
q
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
SAFE OPERATING AREA CHARACTERISTICS
Test Conditions / Part Number
V
DS
= 400 V, I
DS
= 0.813A, t = 20 sec., T
C
= 60°C
Watts
050-5898
Rev
-
8-2001
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
MIN
TYP
MAX
6040
7300
1220
1710
510
770
13
26
20
40
54
81
11
20
UNIT
pF
ns
Symbol
SOA1
MIN
TYP
MAX
325
UNIT
Characteristic
Safe Operating Area
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25°C
R
G
= 0.6
W
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
20406080
100
0
4
8
12
16
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE2,TYPICALOUTPUTCHARACTERISTICS
FIGURE3,TYPICALOUTPUTCHARACTERISTICS
8 V
6 V
7 V
VGS=9V, 10V, 12V, 14 & 16V
5 V
8 V
6 V
7 V
5 V
9 V
VGS=10, 12, 14 & 16V
相關PDF資料
PDF描述
APT10011R5KN 1.5 A, 1000 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT10023JLL 36 A, 1000 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT1004RKN 3.6 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT1004R2KN 3.5 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT100GF60JR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
APL502B2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
APL502B2G 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APL502J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
APL502L 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:LINEAR MOSFET
APL502LG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
主站蜘蛛池模板: 伊宁县| 汉源县| 石家庄市| 犍为县| 靖江市| 德昌县| 静海县| 松江区| 平顶山市| 苍溪县| 通江县| 灌南县| 乌鲁木齐市| 措美县| 徐闻县| 闻喜县| 榆中县| 巩义市| 枞阳县| 镇远县| 宿迁市| 贵溪市| 安宁市| 中卫市| 安达市| 武城县| 邵东县| 仲巴县| 宕昌县| 南涧| 和顺县| 嘉定区| 桓仁| 舒兰市| 四会市| 灌南县| 正定县| 辰溪县| 文水县| 泾川县| 新野县|