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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT-10555 |
| 廠商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 4500 MHz - 10500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | APT-10555 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACT5-211-1R | 10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| ACT5-211-1 | 10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| ACT5-211-2R | 10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| ACT5-211-2 | 10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| ACT5-211-3R | 10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT-106 | 制造商:Abracon Corporation 功能描述:Telecom Transformer 1CT:1CT 1500Vrms 1.5Ohm Prim. DCR 1.5Ohm Sec. DCR -1.1dB Surface Mount |
| APT106N60B2C6 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT-106-T | 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:700 |
| APT-10A | 制造商:OPTIFUSE 功能描述: |
| APT10DC120HJ | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module |
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